碳化硅單晶在自然界極其稀有，幾乎不存在。只能依靠人工合成制備。目前工業(yè)生產(chǎn)碳化硅襯底材料以物理氣相升華法為主，這種方法需要在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，然后通過溫場的控制讓升華后的組分在籽晶表面生長從而獲得碳化硅晶體。整個(gè)過程在密閉空間內(nèi)完成，有效的監(jiān)控手段少，且變量多，對(duì)于工藝控制精度要求極高。